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第二十三章:光刻机破冰,神级材料学(2 / 2)

再加上神级运算能力的精准计算,这些难题在他眼中不过是基础应用题。

三个小时后,特种材料厂的设备准时送达。

在楚玄的现场指导下,研发团队和工厂技术员通力合作,连夜对光刻机的加热模块进行改造。

楚玄亲自调试参数,每一个数据都精确到小数点后六位,让旁边的工程师们叹为观止。

“升温到3200度,稳定十分钟后加入钇元素,比例0.0012%。”

楚玄的声音冷静而坚定。

“注意观察材料的晶格结构,一旦出现异常,立刻停止加料。”

控制台前的研究员屏住呼吸,按照楚玄的指令操作。

屏幕上,碳化硅材料的纯度曲线开始缓慢上升,从99.999%一路飙升。

最终稳稳停在了99.9999999%的位置,杂质含量几乎可以忽略不计。

“成了!材料纯度达标了!”

实验室里爆发出一阵压抑已久的欢呼,有人激动得热泪盈眶。

解决了材料问题,下一个难关便是光刻的对准精度。

光刻机需要将芯片设计图精准投射到晶圆上,误差不能超过1纳米,这对光源系统和物镜组的配合要求极高。

“用深紫外光作为光源,物镜组采用五片式碳化硅透镜,焦距调整到1.2毫米,曝光时间控制在0.003秒。”

楚玄走到光刻机旁,亲自调整物镜组的位置。

“另外,在晶圆下方加装电磁吸附装置,抵消温度变化带来的微小形变。”

一切准备就绪,秦院士按下了启动按钮。

光刻机发出低沉的嗡鸣,深紫外光透过物镜组,精准地投射到晶圆上。

屏幕上,芯片的电路图案一点点显现,线条清晰流畅,没有丝毫扭曲和模糊。

“对准精度0.8纳米!完全符合要求!”

负责监测的研究员高声喊道,声音里充满了狂喜。

然而,就在蚀刻工序即将完成时,实验室的警报突然响了起来。

屏幕上显示,光刻机的真空系统出现泄漏,腔内气压开始上升。

“不好!真空泄漏会导致光刻胶氧化,之前的努力就白费了!”

秦院士脸色大变,想要紧急停机,但楚玄已经抢先一步冲到控制台前。

“关闭主真空阀,启动备用真空泵,同时向腔内注入氮气,维持惰性环境。”

楚玄的手指在键盘上翻飞,速度快得出现残影。

“另外,切断光刻胶区域的氧气供应,用低温冷却系统将晶圆温度降到-10摄氏度,减缓氧化速度。”

一系列操作行云流水,仅仅十秒钟,屏幕上的气压曲线就稳定了下来,真空泄漏被成功控制。

众人惊魂未定地看着楚玄,眼神中充满了敬畏。

刚才那一瞬间,但凡稍有迟疑,整个晶圆就会报废,几天的心血将付诸东流。

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