赵利铭精神一振。
这种更贴近产业一线的氛围，或许正是他现在更需要看到的。
上午看到了“学院派”的根基，下午，他需要评估“产业派”的接口和转化能力。
江南大学材料科学与工程学院的实验大楼内，气氛比京州大学更显忙碌和务实。
空气中似乎弥漫着一种介于实验室精密与车间实干之间的特殊气息。
在宽大的“先进半导体器件联合实验室”展示厅内，校方己简单布置了一个临时的汇报区。
赵利铭、众专家、以及江南大学的校领导、院系负责人、合作企业代表围聚在一起。
江南大学材料学院院长，一位年约五十、面色黝黑如同常年在实验室与车间穿梭的学者，率先开始介绍。
他的语速快而扎实：
“赵常务，各位专家，欢迎！”
“我们江南大学材料学院，不搞虚的，主打的就是一个用得上。”
“我们和‘华芯科技’共建的这个联合实验室，核心目标就是解决第三代半导体，特别是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）材料在功率器件应用中，从外延片生长到器件制备过程中的关键工艺稳定性问题。”
他指着展示柜里的样品和墙上的图表：“比如，我们重点攻关‘SiC衬底上高质量GaN外延技术’，这是做高压、高频、高温功率器件的核心基础。”
“企业那边量产良率卡在百分之七十五上不去，我们实验室通过优化反应室气流和温度场，目前小试阶段己经能把模拟良率提升到百分之八十八，正在向工程化验证推进。”
这时，一位来自中科院研究所、专攻宽禁带半导体材料的专家（我们称他为王院士）推了推眼镜，插话问道：
“陈院长，你们提升良率的具体技术路径是什么？”
“是改进了MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积）的前驱体输送均匀性，还是优化了衬底预处理工艺？”
“数据支撑如何？”
问题非常专业，首指核心。
陈院长显然有备而来，示意助手调出PPT，展示了一组复杂的数据曲线和反应室模拟云图：
“王院士问到了点子上。”
“我们主要从两方面入手：一是通过计算流体力学模拟，重新设计了反应室进气喷淋头结构，改善了前驱体分布的均匀性，这是关键。”
“二是我们与合作企业一起，开发了一种原位监测和反馈系统，能更精准地控制外延生长界面……”
另一位从海外半导体制造企业回国不久的专家（李博士，曾任某巨头工艺整合总监）摸着下巴，若有所思地问道：
“陈院长，你们这个优化方案，对现有主流量产型MOCVD设备的改造兼容性如何？改造成本和周期评估过吗？”